當(dāng)向人或設(shè)備充電的靜電被釋放到電子設(shè)備或組件時(shí)，施加電磁能量沖擊; 因此，電容器必須具有恒定的ESD電阻或更高。

ESD抗性有三種測試方法：（1）HBM，（2）MM和（3）CDM，如下所示，具體取決于產(chǎn)生靜電的模型。

在這些測試中，（1）HBM是最常用的電容器ESD抗性測試方法，如下所述。

①    HBM（人體模型）：基于靜電從人體排出的假設(shè)進(jìn)行測試

②    MM（機(jī)器型號）：基于靜態(tài)從機(jī)器排出的假設(shè)進(jìn)行測試

③    CDM（充電設(shè)備型號）：基于靜電從帶電設(shè)備放電的假設(shè)進(jìn)行測試

作為HBM的ESD測試標(biāo)準(zhǔn)，有AEC-Q200-002，IEC61000-4-2等，HBM模型常數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)不同，如下表所示。

HBM ESD測試電路和AEC-Q200-002的放電電流波形如圖1和圖2所示。

（一世）

當(dāng)開關(guān)2斷開時(shí)，開關(guān)1閉合，并且施加高壓電源以在充電電容器（Cd）中累積電力。（ⅱ）開關(guān)1斷開，開關(guān)2閉合，積累在Cd中的電被施加到測試電容器（Cx）以進(jìn)行測試。

Cx：測試電容器，Cd：充電電容器，Rd：放電電阻器，Rc：保護(hù)電阻。

圖1：HBM的ESD測試電路

圖2：放電電流波形

在AEC-Q200-002中，HBM的ESD測試流程如圖3所示，類別分類如表1所示。測試按照圖3的流程和耐壓等級進(jìn)行。根據(jù)表1分類。

圖3：HBM ESD測試流程

表1. HBM ESD測試流程